深硅刻蚀系统 – 深硅刻蚀

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产品阵容

莎姆克公司的深硅刻蚀系统,可用于MEMS器件的制造和TSV通孔的刻蚀。莎姆克公司是日本第一家采用博世工艺的深硅刻蚀机的半导体设备制造商。我们拥有很强的竞争力的工艺水平,产品阵容涵盖研发和生产两方面。针对大批量的生产,我们提供双反应腔体选项。

带真空搬送式的
深硅刻蚀系统

带真空搬送式(Load-lock)的深硅刻蚀系统

可放置4”样品
可处理四寸硅和玻璃基板

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带真空搬送的
深硅刻蚀系统

带真空搬送(Load-lock)的深硅刻蚀系统

可放置8”样品
适合硅片高速刻蚀

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Cassette型
深硅刻蚀系统

Cassette型深硅刻蚀系统

可放置8”样品
适合量产

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工艺实例

莎姆克深硅刻蚀系统,提供硅的深刻蚀和二氧化硅的快速刻蚀的方案。

硅的快速深刻蚀

硅的快速深刻蚀
刻蚀速率:55 μm/min
图形线宽:50 μm

硅的高深宽比刻蚀

硅的高深宽比刻蚀
深宽比:40
图形线宽: 2.5 μm
刻蚀深度:100 μm
刻蚀条纹尺寸:小于 100 nm

二氧化硅各向异性刻蚀

二氧化硅各向异性刻蚀
4 μm线宽L/S图形
刻蚀深度:6.5 μm
刻蚀速率:325 nm/min

规格表

带真空搬送式的深硅刻蚀系统 Cassette型深硅刻蚀系统
装片 真空锁 真空片盒
样品尺寸 100/200 mm 最大 200 mm
卡盘类型 静电卡盘,背面氦气冷却
排气形式 轴向排气
真空系统 分子泵(TMP)和旋转泵(RP)
工艺气路 多至6路气体
ICP 功率 1/3/5 KW
3/5 KW
自偏压功率 100/500 W 500 W
系统控制 触摸屏,简单易操作

高速气体切换(~ 0.1 sec)
系统选项 ? 可选二氧化硅蚀刻套件

? 晶圆尺寸调节套件 ? 光学/干涉型终点检测仪
? 可选二氧化硅蚀刻套件

? 产量提升 ? 光学/干涉型终点检测仪
应用 MEMS 器件的制造

硅,二氧化硅,氮化硅的刻蚀

TSV通孔刻蚀

先进封装中的等离子划片
Si和GaN-on-Si片的无损切割

系统特点

高密度ICP源

高密度ICP源

高功率的ICP源产生稳定的高密度等离子体,可实现硅刻蚀速率最大到55 μm/min。

高速工艺气体切换

高速工艺气体切换

高速气体切换(~ 0.1 sec)使得侧壁平滑、刻蚀条纹(scallop)更小。

可选的二氧化硅刻蚀套装

可选的二氧化硅刻蚀套装

可选的ICP线圈适用于SiO2高速刻蚀。

简单易维护的设计

简单易维护的设计

可移动的触摸屏,方便在维护操作的时查看设备状态。

晶圆尺寸调节

调节装置可以满足工艺中不同尺寸的晶圆

调节装置可以满足工艺中不同尺寸的晶圆。

产量提升

产量提升

传送样品至反应室前,自动在产量待机室等待安装晶圆及晶圆环。

客户证明

莎姆克深硅刻蚀系统用于以下最先进的实验室研发和生产:

普林斯顿大学

京都大学

国立台湾大学

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