工艺实例
莎姆克深硅刻蚀系统,提供硅的深刻蚀和二氧化硅的快速刻蚀的方案。
硅的快速深刻蚀
刻蚀速率:55 μm/min
图形线宽:50 μm
硅的高深宽比刻蚀
深宽比:40
图形线宽: 2.5 μm
刻蚀深度:100 μm
刻蚀条纹尺寸:小于 100 nm
二氧化硅各向异性刻蚀
4 μm线宽L/S图形
刻蚀深度:6.5 μm
刻蚀速率:325 nm/min
规格表
带真空搬送式的深硅刻蚀系统 | Cassette型深硅刻蚀系统 | |
装片 | 真空锁 | 真空片盒 |
样品尺寸 | 100/200 mm | 最大 200 mm |
卡盘类型 | 静电卡盘,背面氦气冷却 | |
排气形式 | 轴向排气 | |
真空系统 | 分子泵(TMP)和旋转泵(RP) | |
工艺气路 | 多至6路气体 | |
ICP 功率 | 1/3/5 KW |
3/5 KW |
自偏压功率 | 100/500 W | 500 W |
系统控制 | 触摸屏,简单易操作 高速气体切换(~ 0.1 sec) |
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系统选项 | ? 可选二氧化硅蚀刻套件 ? 晶圆尺寸调节套件 ? 光学/干涉型终点检测仪 |
? 可选二氧化硅蚀刻套件 ? 产量提升 ? 光学/干涉型终点检测仪 |
应用 | MEMS 器件的制造 硅,二氧化硅,氮化硅的刻蚀 TSV通孔刻蚀 先进封装中的等离子划片 Si和GaN-on-Si片的无损切割 |
系统特点
高密度ICP源
高功率的ICP源产生稳定的高密度等离子体,可实现硅刻蚀速率最大到55 μm/min。
高速工艺气体切换
高速气体切换(~ 0.1 sec)使得侧壁平滑、刻蚀条纹(scallop)更小。
可选的二氧化硅刻蚀套装
可选的ICP线圈适用于SiO2高速刻蚀。
简单易维护的设计
可移动的触摸屏,方便在维护操作的时查看设备状态。
晶圆尺寸调节
调节装置可以满足工艺中不同尺寸的晶圆。
产量提升
传送样品至反应室前,自动在产量待机室等待安装晶圆及晶圆环。