反应离子刻蚀系统 – RIE刻蚀

自1979成立以来,莎姆克公司已开发出了丰富的干法刻蚀技术。今天我们的产品包括直开式(open-load),真空搬送式(load-lock),装片式(cassette)等各种类型,从小型科研到大规模量产。

 

· 多样化的系统满足各种研发和生产需求
· 最大可达450 mm尺寸样品
· 大载盘可用作批量处理
· 运行成本低
· 占地面积小

 

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感应耦合等离子刻蚀系统(ICP-RIE)

ICP刻蚀系统采用了最新的电感耦合等离子(ICP)技术。莎姆克公司独有的ICP等离子源-“龙卷风线圈” 为下一代器件提供高可靠和高均匀的刻蚀。

通用ICP刻蚀系统

 

· 多系统阵容,用于科研和生产
· 多样化的产品线,适用各种研发和生产场合
· 最大可处理直径450 mm样品
· 大载盘用作批量处理
· 独特的ICP源,具有更高的刻蚀均匀性

 

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SiC的刻蚀用ICP刻蚀系统

 

· 多样化的系统满足各种研发和生产需求
· 高抽气真空泵
· 高度可调的电极,可实现更高的均匀性
· 大功率平面ICP线圈,高SiC刻蚀速率

 

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量产用的ICP刻蚀系统

 

· 独特的ICP线圈使蚀刻具有优良均匀性
· 对称排气设计使得工艺具有很高的重复性
· 已被多家LED工厂生产使用验证

 

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深硅刻蚀系统 - 深硅刻蚀

莎姆克公司生产的深硅刻蚀系统,可用作MEMS器件的制造和TSV工艺。莎姆克公司是日本第一家采用博世工艺的深硅刻蚀机的半导体设备制造商。

 

· 多样化的系统供科研和生产
· 高密度ICP源可用于硅的快速深刻蚀(最大55 μm/min)
· 高速气体切换(~ 0.1 秒)
· 可选SiO2的深刻蚀用ICP源

 

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XeF2干法刻蚀系统,用于MEMS悬臂梁制作

莎姆克公司的XeF2系统可用在MEMS的悬臂梁结构的干法刻蚀。

 

· 体积小巧
· 无等离子损伤
· 高选择比的硅刻蚀
· 完全干法工艺,没有粘附问题
· 气流采用的是脉冲式

 

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