RIE等离子刻蚀系统 – 反应离子刻蚀

莎姆克 > 刻蚀系统 > RIE系统

RIE – 反应离子刻蚀

反应离子刻蚀(RIE)是一种制造微纳米结构的等离子刻蚀技术。在刻蚀过程中,低压等离子体产生了高能离子和自由基,与样品表面反应,产生挥发性的化合物。这些挥发性化合物从样品表面抽走后,样品表面就实现了同向性或异向性的形貌。许多材料都能使用RIE刻蚀,并通过优化刻蚀参数(腔体压力、射频功率、气体流量比等)获得更好效果。


反应离子刻蚀系统的产品阵容

莎姆克公司提供多种反应离子刻蚀(RIE)系统供研发和生产使用。紧凑的桌面型反应离子刻蚀机适合器件研究、IC失效分析中去层。直开式和真空锁式RIE系统具有宽的刻蚀工艺窗口,可用于刻蚀各种材料(硅,电介质,化合物半导体,金属,聚合物和光刻胶)。片盒式RIE系统适合芯片量产。

桌面型RIE系统

桌面型RIE系统

莎姆克公司的RIE-1C机型是一款半自动直开式RIE等离子刻蚀系统,占地面积小。非常适用于科研和IC失效分析,它只占用很小的桌面空间。一旦刻蚀参数设置好,按下开始按钮,系统将自动开始抽气,进工艺气体,射频源开启,腔体排气等程序。运行完成后发出声音信号。
RIE-1C门互锁装置和复位开关保证了操作人员和设备的安全。手动射频匹配器和节流阀消除了潜在的系统故障,并降低运行成本。
按照标准,这种紧凑型系统可放置一片4寸晶片或小芯片、封装器件。也可选升级到6寸的基板。射频发生器和真空泵可放置在主机下的小型箱体内。

请求产品信息

直开式RIE系统

直开式RIE系统

直开式的系统需要操作员先将反应室充大气,然后手动将样品放在基座上。莎姆克公司RIE-10NR,RIE-300NR和RIE-480NR都是全自动直开式反应离子刻蚀系统,分别可放置8”,300mm,或者450mm大小的基板。这些系统主要是为了满足了研究和生产客户使用F基气体进行化学刻蚀。
电脑化的触摸屏提供友好的用户界面,包括数据控制和工艺储存。全自动“一键”操作或全手动操作。反应室与分子泵对称的排气设计创造了高效的真空流。气体控制箱靠近反应室,有利于减少气体在输气管道中停留时间。优化的气体喷淋头,能均匀地输送工艺气体。这些独特的设计使等离子体蚀刻系统具有大的工艺窗口,良好的工艺控制和均匀性。

请求产品信息

真空搬送式RIE系统

真空搬送式RIE系统

真空搬送式RIE?系统有一个反应腔和一个单独的传片室。增加的传片室使得反应腔能保持真空环境,这种可控环境提高了工艺的重复性。并且当使用腐蚀性或有毒气体,如氯基气体,或当刻蚀副产品有害时,传片室也是必需配置。
RIE-200NL是一款真空搬送式高精度反应离子刻蚀系统,可以用来刻蚀各类半导体、绝缘体和金属薄膜。它包括直开式设备的所有功能,并额外在反应室内加装了表面处理的保护壁板。当装载样品,保护壁板升起。这种装置保护了阀门的密封,同时提高了均匀性。

请求产品信息

大气Cassette型
RIE刻蚀系统

大气Cassette型RIE刻蚀系统

使用氟基或某些有机气体时,在反应室外增加的片盒可以有效提高设备产能。
The RIE-100C和RIE-200C都是带单个或两个片盒的反应离子刻蚀系统,并配有机械手和晶圆对准器。机械手使用真空吸力,可实现晶圆高速传输,对准工作站则保证了装片的精度。
在这种结构中,反应室能迅速放气并卸片,然后装取新的晶圆。在反应腔阀门关闭后,腔体被泵抽到工艺压力,工艺完成后,循环重复。RIE-100C 和RIE-200C具有直开式平台所有性能特点。可选择增加ESC卡盘,提高工艺过程中的散热效率。

请求产品信息

真空Cassette型
RIE刻蚀系统

真空Cassette型RIE刻蚀系统

当工艺过程需要可控的环境,或有腐蚀性/有毒气体如氯气,或当刻蚀副产品有害时,就需要真空装片盒型系统。在这种配置中,反应室连接到配有真空机械手臂的传送室,再连接到配有真空装片盒提升机的装片室。
RIE-200LC是装片盒式反应离子刻蚀系统。RIE-200LC可用作各种类型的半导体材、绝缘体和金属薄膜的各向异性的刻蚀,由于无需将反应室充放大气可实现连续刻蚀。它包含直开式平台的所有功能,并额外加装反应室内壁保护板,是一种表面经过处理的金属板。装载样片时,升起保护板。这种装置保护了阀门的密封,同时提高了均匀性。可选择增加ESC卡盘,提高工艺过程中的散热效率。

请求产品信息

工艺实例

莎姆克RIE系统为各种材料的刻蚀提供了解决方案,包括Si,SiO2,SiNx,化合物半导体,金属和有机物如聚酰亚胺。该系统可控制刻蚀的形貌(同向性或异向性),并保持整个样品的均匀性。同时RIE系统能提供失效分析中芯片去层的可靠解决方案。

硅纳米柱图形(~20 nm宽)双栅MOS工艺

硅纳米柱图形(~20 nm宽)双栅MOS工艺
由AIST提供图片

InP衬底上SiO2的异向性刻蚀,用于图形化掩模

InP衬底上SiO2的异向性刻蚀,用于图形化掩模

IC芯片层中5层Al线

IC芯片层中5层Al线

规格表

桌面式RIE系统 直开式RIE系统 真空搬送式RIE系统 大气装片盒式RIE系统 真空装片盒式RIE系统
装片 直开式 真空搬送式 单/双大气装片盒式 真空装片盒腔体式
晶圆取放方式 手动 直线机械手 大气机械手 真空机械手
样品尺寸 100/150 mm 200/350/450 mm 200/350 mm 100/200 mm 200/350 mm
卡盘类型 液体冷却 液体冷却/静电吸附卡盘
排气形式 单接口 对称排气设计
真空系统 旋转泵 分子泵(TMP)和旋转泵(RP)
工艺气路 2到 6路气体
RF功率 200 W 300/500/1000 W
系统控制 一键操作 简单易操作的触摸屏
终点检测 - 光学干涉仪
应用 ? 等离子的研究
? Si, SiO2 和 SiNx的刻蚀

? 聚酰亚胺和聚对二甲苯的刻蚀

? 光刻胶的灰化
? 失效分析
? 各种材料的干法刻蚀
- Si, SiO2 和 SiNx的刻蚀

? 失效分析 - 最大450 mm
? 各种材料的干法刻蚀
- Si, SiO2, SiNx, GaN, GaAs, InP, 金属和有机物
- 适用对腔体环境敏感的样品
? 各种材料的干法刻蚀
- Si, SiO2, SiNx, 和有机物

? 晶圆的量产
- 光刻胶的灰化和接触孔的形成
? 各种材料的干法刻蚀
- Si, SiO2, SiNx, GaN, GaAs, InP,金属和有机物

? 晶圆的量产
- 光刻胶的灰化和接触孔的形成

硅纳米柱图形(~20 nm宽)双栅MOS工艺

硅纳米柱图形(~20 nm宽)双栅MOS工艺
由AIST提供图片

InP衬底上SiO2的异向性刻蚀,用于图形化掩模

InP衬底上SiO2的异向性刻蚀,用于图形化掩模

IC芯片层中5层Al线

IC芯片层中5层Al线

系统特点

机械手和片盒腔体

机械手和片盒腔体

先进的机器晶片取放系统以及装片装置可极大提高产量。

高级内衬板

高级内衬板

反应室内的防护板可以控制等离子体放电范围,提高沉积均匀性。此外,它可以防止薄膜沉积在不易用等离子清洗程序清洗的反应腔内壁。此外,它可以防止在清洗过程中闸板阀内密封圈的损伤。

片盒式阳极PECVD系统

大反应室系统

能够加工高达300/450毫米样品或批量的多个小样品。

良好的工艺控制

良好的工艺控制

可控的薄膜性能可满足器件制造的各种要求。

良好的工艺重复性

良好的工艺重复性

工艺的可重复性会提高器件的质量和可靠性。

客户证明

莎姆克公司的PECVD系统用于以下先进材料研究和器件制造的客户:

深圳大学

寻找更多的信息或产品支持?

与我们联系!

与我们联系